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【2h】

Heteroepitaxial growth of In0.30Ga0.70As high-electron mobility transistor on 200 mm silicon substrate using metamorphic graded buffer

机译：使用变质级配缓冲器在200mm硅衬底上异质外延生长In0.30Ga0.70as高电子迁移率晶体管

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David Kohen; Xuan Sang Nguyen; Sachin Yadav; Annie Kumar; Riko I Made; Christopher Heidelberger; Xiao Gong; Kwang Hong Lee; Kenneth Eng Kian Lee; Yee Chia Yeo; Soon Fatt Yoon; Eugene A. Fitzgerald;
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年度 2016
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